多層セラミックチップコンデンサCCAF / 航空宇宙用MLCC
◆National military standard；
◆各バッチはDPAです, そして 100% 製品の温度ショックと高温負荷のためにスクリーニングされます。
I dielectric：共鳴回路, 低損失を必要とするカップリング回路と回路, high capacitance stability and high insulationresistance
II dielectric: Circuits with bypass, フィルタ, low frequency coupling or low requirements for loss and capacitancestability
| 3, Part number sample | |||||||||||||||
| CCAF | 0805 | CG | 101 | J | 1NS | 6 | |||||||||
| シリーズ | size code | 温度係数 | Capacitance code | tolerance code | voltage code | failure rate class | |||||||||
| 6 failure rate class 6 / 5failure rate class 5 aerospace technology certification | |||||||||||||||
| size code（（単位：んん）。 | |||||||||||||||
| outline | サイズ | 0402 | 0603 | 0805 | 1210 | 1812 | |||||||||
 単位：んん |
L | 1.00±0.10 | 1.60±0.15 | 2.00±0.30 | 3.20±0.40 | 4.50±0.50 | |||||||||
| W | 0.50±0.10 | 0.80±0.15 | 1.25±0.20 | 2.50±0.30 | 3.20±0.40 | ||||||||||
| T max | 0.60 | 1.00 | 1.50 | 2.80 | 3.50 | ||||||||||
| サイズ | 2220 | 2225 | 3025 | / | / | ||||||||||
| L | 5.70±0.50 | 5.70±0.50 | 7.50±0.50 | / | / | ||||||||||
| W | 5.00±0.50 | 6.50±0.50 | 6.30±0.50 | / | / | ||||||||||
| T max | 5.10 | 5.10 | 5.00 | / | / | ||||||||||
| MB | 0.95±0.30 | 0.95±0.30 | 0.50±0.50 | / | / | ||||||||||
| temperature coeffient capacitance markmethod | |||||||||||||||
|
シリーズ |
温度
coeffient/code |
Allow capacitance change | temperature range |
It is marked with three digits，The first two digits mark the effective value of the electrical capacity，The third digit mark the number of zeros after the valid value，unit pF，for exmaple：101=100pF(0.1nF) 103=10000pF(10nF) |
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| without UR | with UR | ||||||||||||||
|
CCAF |
COG/ CG BC/Z
BP/L |
0±30ppm/℃ | / | -55℃〜125℃ | |||||||||||
| BX / O | ±15% | +15/-25% | -55℃〜125℃ | ||||||||||||
| BR / と | ±15% | +15/-40% | -55℃〜125℃ | 静電容量許容差 | |||||||||||
| BY / M | ±15% | / | -55℃〜125℃ |
私 誘電 |
CR＜10pF | NS:±10pF | C:±0.25pF | ||||||||
| 定格電圧 | D：±0.5pF | / | |||||||||||||
| 0J 6.3V, 1A 10V, 1C 16V, 1D 20V, 1E 25V, 1H 50V, 1J 63V, 2A 100V, 3A 1000V…… |
CR≥10pF |
F:±1％ | G:±2％ | ||||||||||||
| termination | J:±5％ | K:±10％ | |||||||||||||
| Nickel Barrier | II dielectric | K:±10％ | M:±20％ | ||||||||||||
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