高電圧セラミックディスクコンデンサ |50V〜10KV | CCDB
前書き
樹脂コーティングを施した単層メタライズドセラミックディスク (ワックス含浸) 1KV未満またはエポキシコーティングされた1KV以上.
値の範囲は、CBDAよりもはるかに高い値に拡張されます
樹脂コーティングを施した単層メタライズドセラミックディスク (ワックス含浸) 1KV未満またはエポキシコーティングされた1KV以上.
値の範囲は、CBDAよりもはるかに高い値に拡張されます
特徴
温度範囲:-55〜125℃
ボラテグを評価:50〜10KV
キャパシタンス: 80pF〜100nF
•バイパス & カップリング
Qと静電容量の安定性がそれほど重要ではない周波数弁別回路.
•フィルタリング, ブロッキング & タイミング
技術データ | 状態 | 仕様 |
キャパシタンス | 1KHzで測定
1.0 〜 5.0 VRMS, 25°C |
80pF〜0.1µF |
作動温度 |
X7R | -55°C〜+ 125°C |
Y5E, Y5P | -30°C〜 + 85°C | |
Z5U, Z5V | -10°C〜 + 85°C | |
誘電正接
(タンS) |
X7R, Y5E, Y5P, Z5U | < 0.025 |
Z5V | < 0.05 | |
絶縁抵抗 |
25°Cでの定格電圧 + >°Cおよび 70%
R.H. 最大 |
>10GΏまたは200MΏファラッド, どちらか少ない方 |
カプセル化 | 標準の1KV以上 | フェノールワックス
エポキシコーティング |
リードのはんだ付け性 |
少なくとも 75% 覆われている |
はんだ温度
250°C + 5°C 浸漬: 3+0.5 秒 (Flurを使用する) |
温度特性 | ||
コード | EIACode | 特徴 |
M | Z5U | +22 に -56% +10 °C〜 + 85°C |
V | Z5V | +22 に -82% +10 °C〜 + 85°C |
G | Y5E | +4.7% -30 °Cから+ 85°C |
NS | Y5P | +10% -30 °Cから+ 85°C |
E | Y5U | +22 に -56% -30 °C〜 + 85°C |
ラジアルストレートリードオンテープ (S56リードコード)
テープのラジアルキンクイン (K56リードコード)
*最も人気のある
コード | 寸法 |
D | 11.0 最大 |
d | 0.6 ±0.05 |
NS | 12.7 ±1.0 |
P0 | 12.7 ±0.3 |
P1 | 3.85 ±0.7 |
P2 | 6.35 ±1.3 |
F | 5.0 +0.8 -0.2 |
時間 | 0 ±2.0 |
W | 18.0 +1.0 -0.5 |
W1 | 9.0 +0.75 -0.5 |
W2 | 3.0 最大 |
NS | 18.0 +3.0 -0 |
H0 | 16.0 0.5± |
H1 | 32.25 最大 |
K | 1.0 最大 |
D0 | 4.0 ±0.2 |
NS | 0.7 ±0.2 |
L | 11.0 最大 |
前書き
樹脂付き単層メタライズドセラミックディスク
コーティング (ワックス含浸) 1KV以下またはエポキシ
コーティングされた1KVアップ.
値の範囲ははるかに高い値まで拡張されます
CBDAより