AEC-Q200电容器的测量条件

AEC-Q200电容器的测量条件

注意: AEC-Q200的环境测试条件主要基于MIL-STD-202和JEDEC22A-104规范. 不同零件的测试温度不仅相同, 还有电源 (电压, 当前, 和加载) 要求. 会有所不同, 高温存储不施加偏压和负载, 但是在高温下工作寿命需要, 温度循环和温度影响, 测试目的和方法不一样, 在温度循环中, 高温变化需要控制温度变化率, 不使用温度冲击, 高湿度通常称为高温高湿测试, 耐湿湿冷冻试验.

测试条件注意事项: 对于高温存储，应以250h和500h的间隔执行1000h测试程序 (MIL-STD-202-108): [适用设备: THS] 薄膜电容器, 网络低通滤波器, 网络电阻, 热敏电阻, 可变电容, 可变电阻器, 陶瓷谐振器, EMI干扰抑制器, EMI干扰滤波器: 85°C / 1000h电感器, 变压器, 电阻器: 125°C / 1000h压敏电阻: 150°C / 1000h钽电容, 陶瓷电容器 , 铝电解电容器: 最高额定温度/ 1000h

高温使用寿命 (MIL-STD-202-108): [适用设备: THS] 网络低通滤波器, 网络阻力: 85°C / 1000h EMI干扰抑制器, EMI干扰滤波器: 85°C / 1000h /适用的额定IL钽电容器, 陶瓷电容器: 最高额定温度 / 1000H / (2/3) 加载 / 额定电压 铝电解电容器, 电感器, 变形金刚: 105 ℃下 / 1000h薄膜电容: 1000H / (85 ℃下 / 125% 额定电压, 105 ℃下 & 125 ℃下 / 100% 额定电压) 自恢复保险丝: 125 ℃下 / 1000h电阻, 热敏电阻, 可变电容: 125 ℃下 / 1000H / 额定电压可变电阻: 125 ℃下 / 1000H / 额定功率变阻器: 125 ℃下 / 1000h /额定电压85％+ ma电流陶瓷谐振器: 85°C / 1000h /额定VDD +1MΩ, 并联逆变器, 2每个晶体脚与地面石英振荡器之间的X晶体CL电容: 125°C / 1000h /额定VDD +1MΩ, 并联逆变器, 2每个晶体引脚和地之间的X晶体CL电容器

温度循环 (JEDEC22A-104): [applicable devices: TSR, ESS] Film capacitance, variable capacitance, variable resistance, ceramic resonator, EMI interference suppressor, EMI interference filter: -55°C (30min) ←→85°C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000cycles 钽电容, Ceramic Capacitor, 电阻器, Thermistor: -55°C(30min)←→125°C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000循环铝电解电容器:-40°C(30min)←→105°摄氏度(30min)/RAMP(15°C/min)/1000周期电感, 变压器, 变阻器, 石英振荡器, Resettable Fuse:-40°C(30min)←→125°C (30min)/RAMP

(15°C/min)/1000循环网络低通滤波器, 网络阻力: -55°C(30min)←→125°C(30min)/RAMP(15°C/min)/1000cycles�°C /分钟击 (M周期-202-107): [applicable equipment: TC, TSK] 自愈保险丝: -40°C(15min)←→125°C(15min)/300℃下�←→125°摄氏度我-STD-202- 103): [应用设备: THS] Tantalum Capacitors, Ceramic Capacitors: 85°C/85%陶瓷电容器.3 至1.5V电感器 & 变形金刚: 85°C / 85％RH / 1000h /非通电铝电解电容器: 85°C /85%RH/1000h/rated voltage

EMI interference suppressor, EMI interference filEMI干扰抑制器h EMI干扰滤波器流电阻, thermistor: 85°C / 85％RH / 1000h /工作�热敏电阻Resettable fuse: 85°C / 85％RH / 1000h /�自恢复保险丝 Variable capacitance, variable resistance: 85°C / 85％可变电容��可变电阻滤波器 & network resistance: 85°C/85°C / 85％RH / 1000h /电压��电容 (额定电压), network 网络电阻�定功率)] 压敏电阻: 85°C / 85％RH / 1000h /额定电压85％+ ma电流石英振荡器, ceramic resonator: 85°C / 85％RH / 1000h /额定VDD 陶瓷谐振器��器, 2每个晶脚和地膜电容之间的X晶振CL电容器: 40°C / 93％RH / 1000h /额定电压耐湿性 (军用性病 -202-106): [applicable device: THS] Film capacitance: (25�THS��→65°C / 90％RH * 2循环)/18h→-适用设备每个�薄膜电容, 步骤7a&7b未通电