ملٹری گریڈ پولیمر چپ ٹینٹلم کیپسیٹر ایس ایم ڈی (الٹرا لو ایسر) سی بی اے ایف بی

Jinpei اعلی کارکردگی اور وسیع گنجائش کی حد فراہم کرتا ہے جس کے نتیجے میں ویکیوم کے نیچے sintered ہائی گین ٹینٹلم پاؤڈر کی ٹھوس سلگ. شعلہ retardant epoxy مولڈنگ زیادہ سے زیادہ ماحولیاتی تحفظ اور ڈائی الیکٹرک طاقت کو یقینی بناتی ہے. غیر معیاری اقدار, کم پروفائل پیکجز, کسٹم مارکنگ, فوجی اسکریننگ, fusible, وغیرہ۔, دستیاب ہیں.

Datesheet-For-Military-Grade-Polymer-Chip-Tantalum-Capacitor-CBAFB.pdf (1390 ڈاؤن لوڈ )

TYPE CBAFB SERIES

High-frequency & ناکامی کی شرح گریڈ دستیاب ہے

خصوصیات اور استعمال

رال مولڈنگ پیکیجنگ, اچھی سگ ماہی, شیٹ کی قسم, قطبیت;
چھوٹا حجم, ہلکے وزن, excellent and stable electrical performance, اعلی وشوسنییتا, good high frequency

خصوصیات, انتہائی کم ESR (مساوی سیریز مزاحمت

equivalent to KEMET company T495 type), large electric capacity;

Suitable for aerospace, ہوا بازی, سیٹلائٹ, مواصلات,

missile and other reliable electronic equipment surface mounted with DC or pulsation circuit.

Implementation standard: جی جے بی 2283-95

QJ/PWV 347-2011

میز 1 capacitors کے مجموعی طول و عرض (ملی میٹر)

میز 1 capacitors کے مجموعی طول و عرض (ملی میٹر)
کیس کوڈ	l	W1	h	s	W2
c	6.0± 0.2	3.2± 0.2	2.5± 0.2	1.3± 0.2	2.2± 0.2
ڈی	7.3± 0.2	4.3± 0.2	2.8± 0.2	1.3± 0.2	2.4± 0.2
ای	7.3±0.4	4.3±0.4	4.1±0.4	1.3± 0.2	2.4± 0.2
وی	7.3±0.4	6.1±0.4	3.6±0.4	1.35± 0.2	3.0± 0.2
ڈبلیو	7.3±0.4	6.1±0.4	4.1±0.4	1.35± 0.2	3.0± 0.2

میز 2 ریٹیڈ وولٹیج, زمرہ وولٹیج, برائے نام اہلیت, مساوی سیریز مزاحمت (ESR), شیل کوڈ, اور کیپسیٹر کی اعلی اور کم درجہ حرارت کی خصوصیات

برائے نام بجلی کی گنجائش (CR) μf	شیل نمبر	ESR زیادہ سے زیادہ 100KHz +25℃ اوہ	لیک کرنٹ زیادہ سے زیادہ μA			صلاحیت میں تغیر کی حد %		نقصان کا زاویہ زیادہ سے زیادہ کاٹا جاتا ہے۔ %
			+25℃	+85℃	+125℃	-55℃	+125℃	-55℃	+25℃	+85℃
			+25℃	+85℃	+125℃	+85℃	+125℃	-55℃	+25℃	+125℃
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 4وی (کلاس وولٹیج 2.7 وی, 125℃)
68	c	0.2	2.7	21.7	27.2	± 10	±12	8	6	8
100	ڈی	0.2	4.0	32.0	40	± 10	±12	10	8	10
150	ڈی	0.2	6.0	48.0	60	± 10	±12	10	8	10
220	ڈی	0.1	8.8	70.4	88	±12	±14	12	10	12
330	ای	0.1	13.2	105.6	132	±12	±14	12	10	12
470	ای	0.08	18.8	150.4	188	±14	±16	14	12	14
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 6.3وی (کلاس وولٹیج 4 وی, 125℃)
15	c	0.4	0.9	7.5	9.4	± 10	±12	8	6	8
22	c	0.35	1.3	11.0	13.8	± 10	±12	8	6	8
33	ڈی	0.2	2.0	16.6	20.7	± 10	±12	8	6	8
33	c	0.3	2.0	16.6	20.7	± 10	±12	8	6	8
47	ڈی	0.2	2.9	23.6	29.6	± 10	±12	8	6	8
68	ڈی	0.17	4.2	34.2	42.8	± 10	±12	8	6	8
100	ڈی	0.15	6.3	50.4	63.0	± 10	±12	10	8	10
150	ای	0.125	9.4	75.6	94.5	± 10	±12	10	8	10
220	ای	0.1	13.8	110.8	138.6	±12	±14	12	10	12
330	ای	0.1/0.09	20.7	166.3	207.9	±12	±14	12	10	12
470	ای	0.08/0.06	29.6	236.8	296.1	±14	±16	14	12	14
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 10وی (کلاس وولٹیج 7 وی, 125℃)
10	c	0.5	1.0	8.0	10	± 10	±12	8	6	8
15	c	0.4	1.5	12.0	15	± 10	±12	8	6	8
22	c	0.35	2.2	17.6	22	± 10	±12	8	6	8
33	c	0.3	3.3	26.4	33	± 10	±12	8	6	8
47	ڈی	0.2	4.7	37.6	47	± 10	±12	8	6	8
68	ڈی	0.15	6.8	54.4	68	± 10	±12	8	6	8
100	ای	0.1	10	80	100	± 10	±12	10	8	10
100	ڈی	0.1	10	80	100	± 10	±12	10	8	10
150	ای	0.1	15	120	150	± 10	±12	10	8	10
150	ڈی	0.1	15	120	150	± 10	±12	10	8	10
220	ای	0.1	22	176	220	±12	±14	12	10	12
330	ای	0.1/0.07	33	264	330	±12	±14	12	10	12
470	ای	0.08/0.06	47	376	470	±14	±16	14	12	14

برائے نام بجلی کی گنجائش (CR) μf	شیل نمبر	ESR زیادہ سے زیادہ 100KHz +25℃ اوہ	لیک کرنٹ زیادہ سے زیادہ μA			صلاحیت میں تغیر کی حد %		نقصان کا زاویہ زیادہ سے زیادہ کاٹا جاتا ہے۔ %
			+25℃	+85℃	+125℃	-55℃	+125℃	-55℃	+25℃	+85℃
			+25℃	+85℃	+125℃	+85℃	+125℃	-55℃	+25℃	+125℃
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 16وی (کلاس وولٹیج 10 وی, 125℃)
6.8	c	0.5	1.0	8.7	10.8	± 10	±12	8	6	8
10	c	0.5	1.6	12.8	16.0	± 10	±12	8	6	8
15	c	0.4	2.4	19.2	24.0	± 10	±12	8	6	8
22	ڈی	0.25	3.5	28.1	35.2	± 10	±12	8	6	8
22	c	0.3	3.5	28.1	35.2	± 10	±12	8	6	8
33	ڈی	0.2	5.2	42.2	52.8	± 10	±12	8	6	8
33	c	0.3	5.2	42.2	52.8	± 10	±12	8	6	8
47	ڈی	0.2	7.5	60.1	75.2	± 10	±12	8	6	8
47	c	0.3	7.5	60.1	75.2	± 10	±12	8	6	8
68	ڈی	0.15	10.8	87.0	108.8	± 10	±12	8	6	8
100	ای	0.1	16	128	160	± 10	±12	10	8	10
100	ڈی	0.125	16	128	160	± 10	±12	10	8	10
150	ای	0.1	24	192	240	± 10	±12	10	8	10
220	ای	0.09	35.2	281.6	352	±12	±14	12	10	12
330	ڈبلیو	0.07	52.8	422.4	528	±12	±14	12	10	12
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 20وی (کلاس وولٹیج 13 وی, 125℃)
4.7	c	0.6	0.9	7.5	9.4	± 10	±12	8	6	8
6.8	c	0.5	1.3	10.8	13.6	± 10	±12	8	6	8
10	c	0.45	2.0	16.0	20	± 10	±12	8	6	8
15	ڈی	0.275	3.0	24.0	30	± 10	±12	8	6	8
22	ای	0.225	4.4	35.2	44	± 10	±12	8	6	8
33	ای	0.17	6.6	52.8	66	± 10	±12	8	6	8
33	ڈی	0.2	6.6	52.8	94	± 10	±12	8	6	8
47	ای	0.15	9.4	75.2	136	± 10	±12	8	6	8
68	ای	0.15	13.6	108.8	200	± 10	±12	8	6	8
100	ای	0.12	20	160	300	± 10	±12	10	8	10
150	ای	0.12	30	240	440	± 10	±12	10	8	10
220	ڈبلیو	0.08	44	352	660	±12	±14	12	10	12
330	ڈبلیو	0.07	66	528	9.4	±12	±14	12	10	12
ریٹیڈ وولٹیج (ur) 25وی (کلاس وولٹیج 17 وی, 125℃)
4.7	c	0.6	1.1	9.4	11.7	± 10	±12	8	6	8
6.8	c	0.5	1.7	13.6	17.0	± 10	±12	8	6	8
10	c	0.45	2.5	20	25.0	± 10	±12	8	6	8
15	ڈی	0.275	3.7	30	37.5	± 10	±12	8	6	8

برائے نام بجلی کی گنجائش (CR) μf	شیل نمبر	ESR زیادہ سے زیادہ 100KHz +25℃ اوہ	لیک کرنٹ زیادہ سے زیادہ μA			صلاحیت میں تغیر کی حد %		نقصان کا زاویہ زیادہ سے زیادہ کاٹا جاتا ہے۔ %
			+25℃	+85℃	+125℃	-55℃	+125℃	-55℃	+25℃	+85℃
			+25℃	+85℃	+125℃	+85℃	+125℃	-55℃	+25℃	+125℃
شرح شدہ وولٹیج (ur) 25وی (Category voltage: 17وی, 125℃)
22	ای	0.2	5.5	44	55.0	± 10	±12	8	6	8
22	ڈی	0.225	5.5	44	55.0	± 10	±12	8	6	8
33	ای	0.175	8.2	66	82.5	± 10	±12	8	6	8
47	ای	0.2	11.7	94	117.5	± 10	±12	8	6	8
68	ڈبلیو	0.2	17	136	170	± 10	±12	8	6	8
68	ای	0.2	17	136	170	± 10	±12	8	6	8
100	ڈبلیو	0.15	25	200	250	± 10	±12	10	8	10
100	وی	0.15	25	200	250	± 10	±12	10	8	10
100	ای	0.15	25	200	250	± 10	±12	10	8	10
150	ڈبلیو	0.15	37.5	200	375	± 10	±12	10	8	10
شرح شدہ وولٹیج (ur) 35وی (Category voltage: 23وی, 125℃)
4.7	c	0.6	1.6	13.1	16.4	± 10	±12	8	6	8
6.8	ڈی	0.4	2.3	19.0	23.8	± 10	±12	8	6	8
10	ڈی	0.3	3.5	28.0	35	± 10	±12	8	6	8
15	ای	0.275	5.2	42.0	52.5	± 10	±12	8	6	8
22	ای	0.275	7.7	61.6	77	± 10	±12	8	6	8
33	ڈبلیو	0.3	11.5	92.4	115.5	± 10	±12	10	8	10
47	ڈبلیو	0.2	16.4	131.6	164.5	± 10	±12	10	8	10
47	ای	0.2	16.4	131.6	164.5	± 10	±12	10	8	10
شرح شدہ وولٹیج (ur) 50وی (Category voltage: 33وی, 125℃)
2.2	ڈی	0.5	1.1	8.8	11	± 10	±12	8	6	8
2.2	c	0.5	1.1	8.8	11	± 10	±12	8	6	8
3.3	ڈی	0.4	1.6	13.2	16.5	± 10	±12	8	6	8
4.7	ڈی	0.3	2.3	18.8	23.5	± 10	±12	8	6	8
6.8	ڈی	0.3	3.4	27.2	34	± 10	±12	8	6	8
10	ای	0.25	5	40	50	± 10	±12	8	6	8
15	ڈبلیو	0.4	7.5	60	75	± 10	±12	10	8	10
22	ڈبلیو	0.3	11	88	110	± 10	±12	10	8	10
33	ڈبلیو	0.3	16.5	132	165	± 10	±12	10	8	10
شرح شدہ وولٹیج (ur) 63وی (Category voltage: 40وی, 125℃)
1.0	c	1.5	0.6	5.0	6.3	± 10	±12	6	4	6
1.5	ڈی	1.2	0.9	7.5	9.4	± 10	±12	8	6	8
2.2	ڈی	0.7	1.3	11.0	13.8	± 10	±12	8	6	8
3.3	ڈی	0.6	2.0	16.6	20.7	± 10	±12	8	6	8

برائے نام بجلی کی گنجائش (CR) μf	شیل نمبر	ESR زیادہ سے زیادہ 100KHz +25℃ اوہ	لیک کرنٹ زیادہ سے زیادہ μA			صلاحیت میں تغیر range of%		Loss angle is cut to max%
			+25℃	+85℃	+125℃	-55℃	+125℃	-55℃	+25℃	+85℃
			+25℃	+85℃	+125℃	+85℃	+125℃	-55℃	+25℃	+125℃
شرح شدہ وولٹیج (ur) 63وی (Category voltage: 40وی, 125℃)
4.7	ای	0.5	2.9	23.6	29.6	± 10	±12	8	6	8
6.8	ای	0.45	4.2	34.2	42.8	± 10	±12	8	6	8
10	ڈبلیو	0.4	6.3	50.4	63	± 10	±12	10	8	10
10	ای	0.4	6.3	50.4	63	± 10	±12	8	6	8
15	ڈبلیو	0.4	9.4	75.6	94.5	± 10	±12	10	8	10
22	ڈبلیو	0.3	13.8	110.8	138.6	± 10	±12	10	8	10
شرح شدہ وولٹیج (ur) 75وی (Category voltage 50V, 125℃)
1.0	ڈی	2.0	0.7	6.0	7.5	± 10	±12	6	4	6
1.5	ڈی	1.5	1.1	9.0	11.2	± 10	±12	8	6	8
2.2	ای	0.8	1.6	13.2	16.5	± 10	±12	8	6	8
3.3	ای	0.6	2.4	19.8	24.7	± 10	±12	8	6	8
4.7	ای	0.55	3.5	28.2	35.2	± 10	±12	8	6	8
شرح شدہ وولٹیج (ur) 100وی (Category voltage: 63وی, 125℃)
1.0	ڈی	2.0	1.0	8.0	10	± 10	±12	6	4	6
1.5	ای	1.3	1.5	12.0	15	± 10	±12	8	6	8
2.2	ای	0.6	2.2	17.6	22	± 10	±12	8	6	8
3.3	ڈبلیو	0.6	3.3	26.4	33	± 10	±12	10	8	10

خصوصیات
 ایپوکسی مولڈ, UL94V-0 شعلہ ریٹارڈنٹ;
 بہترین نمی اور سرج پرفارمنس کم رساو کرنٹ;
 -55° سے +125°C آپریٹنگ درجہ حرارت کی حد;
 توسیعی گنجائش کی حد اور کم پروفائل ڈیزائن دستیاب ہیں۔;

ROHS کے مطابق

ملٹری گریڈ پولیمر چپ ٹینٹلم کیپسیٹر ایس ایم ڈی (الٹرا لو ایسر) سی بی اے ایف بی