MIL Tantalum ہائبرڈ کیپسیٹر owLow DF ▏CBEO۔

خصوصیات اور اطلاق

آلٹینٹلم کیس, ہوا بند سیل کر دیا, مربع, چھوٹے سائز, ریڈیل لیڈز, پولرائزڈ
یہ پروڈکٹ ٹینٹلم کپیسیٹر اور الیکٹرو کیمیکل کیپیسیٹر سے بنا ہے۔
مستحکم الیکٹرک کارکردگی, اعلی وشوسنییتا, لمبی زند گی, بڑی توانائی کی کثافت فی یونٹ حجم, بہت ذخیرہ
انرجی کنورژن سرکٹ اور پاور پلس سرکٹ میں استعمال کی گئی بیٹری, انرجی اسٹوریج کو انجام دیں۔,فلٹر, سرکٹ میں بجلی بند ہونے میں تاخیر. بڑے پیمانے پر ہوائی جہاز میں استعمال کیا جاتا ہے,ریڈار,جہاز,ٹینک,سیٹلائٹ,ایرو اسپیس کا سامان
معیاری：GJB733B-2011 &Q/RT0.464.222-2015

Datasheet-For-MIL-Tantalum-Hybrid-Capacitor-▏Low-DF-▏CBEO.pdf (28 ڈاؤن لوڈ)

تکنیکی کارکردگی

درجہ حرارت کی حد: -55℃~+125℃（+125℃ استعمال ڈیریٹڈ وولٹیج） اسٹور ماحول کا درجہ حرارت: -62℃~+130℃ اہلیت رواداری: K = ± 10٪；م = 20٪ ±；سوال = -10٪ ~ + 30٪

ٹیبل 1 سی بی ای او اعلی توانائی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر خصوصیات اور سائز: φ22x22x12mm

وولٹیج کی درجہ بندی (V)	ڈیریٹڈ وولٹیج (V)	سرج وولٹیج (V)	ٹوپی. (μF)	tgδ(%) 100ہرٹج	ESR (Ω) 1kHz کے	Max.DCL. (μA)		آئی ایم پی. (Ω) 100ہرٹج -55℃	ٹوپی. تبدیلی (%)		میکس. وزن (جی)
						25℃	85℃		ٹوپی. تبدیلی (%)
							85℃		-55℃	+85℃
							125℃		-55℃	+85℃
10	6	11	24000	90	0.25	350	2100	6	-75	140	45
16	9	17.6	16000	80	0.25	400	2400	6	-75	140	45
25	15	27.5	11500	70	0.25	500	3000	6	-70	130	45
35	20	38.5	8000	60	0.25	500	3000	6	-65	120	45
50	30	55	5400	55	0.3	500	3000	7.5	-55	110	45
63	38	70	3000	45	0.3	300	1800	9	-50	70	50
80	48	88	1960	40	0.3	300	1800	10	-45	70	50
85	51	93.5	1720	40	0.3	300	1800	10	-45	70	50
100	60	110	1000	35	0.4	150	900	12	-35	65	55
110	66	121	540	25	0.4	150	900	14	-30	45	55
125	75	138	360	25	0.5	150	900	16	-25	45	55

ٹیبل 2 سی بی ای او ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ22x22x16mm

وولٹیج کی درجہ بندی (V)	ڈیریٹڈ وولٹیج (V)	سرج وولٹیج (V)	ٹوپی. (μF)	tgδ(%) 100ہرٹج	ESR (Ω) 1kHz کے	Max.DCL. (μA)		آئی ایم پی. (Ω) 100ہرٹج -55℃	ٹوپی. تبدیلی (%)		میکس. وزن (جی)
						25℃	85℃		ٹوپی. تبدیلی (%)
							85℃		-55℃	+85℃
							125℃		-55℃	+85℃
10	6	11	36000	90	0.25	350	2100	5	-75	140	55
16	9	17.6	24500	80	0.25	400	2400	5	-75	140	55
25	15	27.5	17000	70	0.25	500	3000	5	-70	130	55
35	20	38.5	12000	60	0.25	500	3000	5	-65	120	55
50	30	55	8200	55	0.3	500	3000	6.5	-55	110	55
63	38	70	4500	45	0.3	300	1800	8	-50	70	60
80	48	88	3000	40	0.3	300	1800	9	-45	70	60
85	51	93.5	2600	40	0.3	300	1800	9	-45	70	60
100	60	110	1500	35	0.4	150	900	11	-35	65	65
110	66	121	820	25	0.4	150	900	13	-30	45	65
125	75	138	540	25	0.5	150	900	15	-25	45	65

ٹیبل 3 CBEK ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ35.5×35.5x12mm

وولٹیج کی درجہ بندی (V)	ڈیریٹڈ وولٹیج (V)	سرج وولٹیج (V)	ٹوپی. (μF)	tgδ(%) 100ہرٹج	ESR (Ω) 1kHz کے	Max.DCL. (μA)		آئی ایم پی. (Ω) 100ہرٹج -55℃	ٹوپی. تبدیلی (%)		میکس. وزن (جی)
						25℃	85℃		ٹوپی. تبدیلی (%)
							85℃		-55℃	+85℃
							125℃		-55℃	+85℃
10	6	11	120000	160	0.04	400	2400	0.5	-60	100	90
16	9	17.6	82000	150	0.04	400	2400	0.5	-60	100	90
25	15	27.5	50000	110	0.045	400	2400	0.5	-60	100	90
35	20	38.5	33000	65	0.05	400	2400	0.5	-50	95	90
50	30	55	20000	55	0.05	500	3000	0.6	-40	85	90
63	38	70	10000	40	0.05	500	3000	0.8	-30	60	95
80	48	88	6800	30	0.06	600	3600	1.2	-28	50	95
85	51	93.5	6000	20	0.07	600	3600	1.4	-28	45	95
100	60	110	3600	20	0.07	600	3600	1.6	-20	35	100
110	66	121	3000	15	0.08	600	3600	1.8	-20	30	100
125	75	138	2000	15	0.08	600	3600	2.0	-20	30	100

ٹیبل 4 CBEK ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ35.5×35.5x16mm

وولٹیج کی درجہ بندی (V)	ڈیریٹڈ وولٹیج (V)	سرج وولٹیج (V)	ٹوپی. (μF)	tgδ(%) 100ہرٹج	ESR (Ω) 1kHz کے	Max.DCL. (μA)		آئی ایم پی. (Ω) 100ہرٹج -55℃	ٹوپی. تبدیلی (%)		میکس. وزن (جی)
						25℃	85℃		ٹوپی. تبدیلی (%)
							85℃		-55℃	+85℃
							125℃		-55℃	+85℃
10	6	11	200000	160	0.025	400	2400	0.5	-60	100	123
16	9	17.6	120000	150	0.025	400	2400	0.5	-60	100	123
25	15	27.5	75000	110	0.035	400	2400	0.5	-60	100	123
35	20	38.5	50000	65	0.035	400	2400	0.5	-50	95	123
50	30	55	30000	55	0.035	500	3000	0.6	-40	85	123
63	38	70	16000	40	0.035	500	3000	0.8	-30	60	125
80	48	88	10000	30	0.04	600	3600	1.2	-28	50	125
85	51	93.5	9000	20	0.05	600	3600	1.4	-28	45	125
100	60	110	5400	20	0.05	600	3600	1.6	-20	35	130
110	66	121	4500	15	0.065	600	3600	1.8	-20	30	130
125	75	138	3000	15	0.065	600	3600	2.0	-20	30	130

حصے کا نمبر

نوٹس

Tantalumcapacitors کی طرف سے ماپا نہیں جا سکتا (آسانی سے ناقابل واپسی نقصان کا سبب بنتا ہے اور قطبیت کو الٹ جانے پر مسترد کر دیتا ہے۔);
گنجائش,ڈی ایف پیمائش فریکوئنسی: 100ہرٹج,DC آفسیٹ وولٹیج U-=2.20 1.0V_– ,ایکسچینج آفسیٹ وولٹیج U~=1.00-0.5V(مؤثر قدر), پیمائش کا طریقہ سیریز کے برابر ہے۔
125℃ پر لیکیج کرنٹ کی پیمائش کریں۔,برائے مہربانی derated DCL استعمال کریں۔. قدر پر پڑھا گیا۔ 5 منٹ.
خصوصی سائز اور بڑی اہلیت کی مصنوعات, کے ساتھ مشورہ کریں

MIL Tantalum ہائبرڈ کیپسیٹر owLow DF ▏CBEO۔

MIL Tantalum ہائبرڈ کیپسیٹر owLow DF ▏CBEO۔

خصوصیات اور اطلاق

تکنیکی کارکردگی

ٹیبل 1 سی بی ای او اعلی توانائی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر خصوصیات اور سائز: φ22x22x12mm

ٹیبل 2 سی بی ای او ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ22x22x16mm

ٹیبل 3 CBEK ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ35.5×35.5x12mm

ٹیبل 4 CBEK ہائی انرجی ٹینٹلم ہائبرڈ کپیسیٹر کی خصوصیات اور سائز: φ35.5×35.5x16mm

حصے کا نمبر

نوٹس

متعلقہ اشاعت